MOSFET Nexperia, canale Tipo N 100 V, 6.9 mΩ Miglioramento, 111 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN7R2-100YSFX

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 1 unità*

2,84 €

(IVA esclusa)

3,46 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1498 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Nastro/i
Per Nastro
1 - 92,84 €
10 - 992,57 €
100 - 4992,38 €
500 - 9992,20 €
1000 +1,96 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-372
Codice costruttore:
PSMN7R2-100YSFX
Costruttore:
Nexperia
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

111A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

LFPAK

Serie

PSM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Dissipazione di potenza massima Pd

194W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

50nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N Nexperia è qualificato per 175 °C. È ideale sia per applicazioni industriali che di consumo. È adatto per la rettifica sincrona nei convertitori c.a.-c.c. e c.c.-c.c., la commutazione laterale primaria nei sistemi c.c.-c.c. a 48 V, il controllo dei motori BLDC, gli adattatori USB-PD e mobili a carica rapida, nonché le topologie flyback e risonanti.

Forte valore energetico valanghe

Valanga e testato al 100%

Ha-free e conforme a RoHS

Link consigliati