Codice costruttore

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 1.42 mΩ Miglioramento, 100 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN1R4-30YLDX

Codice RS:: 219-402
Codice costruttore:: PSMN1R4-30YLDX
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 1.42 mΩ Miglioramento, 100 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN1R4-30YLDX

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Codice RS:: 219-402
Codice costruttore:: PSMN1R4-30YLDX
Costruttore:: Nexperia

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Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	LFPAK
	Serie	NextPowerS3 Technology
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.42mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	27.6nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	166W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Nexperia
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package LFPAK
	Serie NextPowerS3 Technology
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.42mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 27.6nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 166W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - PSMN1R4-30YLDX

Paese di origine:: PH

Il MOSFET a canale N Nexperia è dotato di un portafoglio NextPowerS3 che utilizza l'esclusiva tecnologia SchottkyPlus di NXP per fornire un'elevata efficienza, prestazioni a bassa spinta solitamente associate ai MOSFET con un diodo Schottky o simile a Schottky integrato ma senza la problematica corrente di dispersione elevata. NextPowerS3 è particolarmente adatto per applicazioni ad alta efficienza a frequenze di commutazione elevate.

Bassa induttanza parassitaria e bassa resistenza

Contenitore Power SO8 incollato con clip ad alta affidabilità e fissato a matrice di saldatura

Possibilità di saldatura a onda

Commutazione ultraveloce con recupero morbido

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 1.42 mΩ Miglioramento, 100 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN1R4-30YLDX

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