MOSFET Nexperia, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 240 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN1R4-40YSHX

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-293
Codice costruttore:
PSMN1R4-40YSHX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

240A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NextPower-S3 Schottky-Plus

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

333W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

96nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N Nexperia è dotato di tecnologia di giunzione Super TrenchMOS avanzata. Questo prodotto è stato progettato e qualificato per applicazioni di commutazione di potenza ad alte prestazioni. È progettato per applicazioni ad alte prestazioni, tra cui rettifica sincrona, convertitori c.c.-c.c., alimentatori per server, controllo motore c.c. brushless e protezione della batteria. Offre un'elevata efficienza e prestazioni affidabili in un'ampia gamma di attività di gestione dell'alimentazione.

Bassa induttanza parassitaria e bassa resistenza

Contenitore Power SO8 incollato con clip ad alta affidabilità e fissato a matrice di saldatura

Possibilità di saldatura a onda

Commutazione ultraveloce con recupero morbido

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