2 MOSFET ROHM, canale Tipo N, 29 mΩ, 15 A 60 V, HSMT-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin HT8KC6TB1
- Codice RS:
- 264-489
- Codice costruttore:
- HT8KC6TB1
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 10 unità*
8,08 €
(IVA esclusa)
9,86 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 100 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,808 € | 8,08 € |
| 100 - 240 | 0,768 € | 7,68 € |
| 250 - 490 | 0,712 € | 7,12 € |
| 500 - 990 | 0,655 € | 6,55 € |
| 1000 + | 0,63 € | 6,30 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-489
- Codice costruttore:
- HT8KC6TB1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 15A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | HSMT-8 | |
| Serie | HT8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 29mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 14W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 15A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package HSMT-8 | ||
Serie HT8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 29mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 14W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza ROHM doppio Nch più Nch 60V 15A è caratterizzato da una bassa resistenza di accensione, che lo rende ideale per le applicazioni di commutazione.
Bassa resistenza in stato attivo
Pacchetto ad alta potenza in piccolo stampo HSMT8
Placcatura senza Pb e conforme a RoHS
Senza alogeni