2 MOSFET ROHM, canale Tipo P, 127 mΩ, 12.5 A 100 V, HSOP-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin HP8JE5TB1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-654
Codice costruttore:
HP8JE5TB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

12.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HP8J

Tipo di package

HSOP-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

127mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

21W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38.0nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

ROHM Semiconductor è un MOSFET a doppio canale P progettato per applicazioni di commutazione e azionamento motore efficienti. La bassa resistenza di accensione e l'elevata dissipazione di potenza lo rendono ideale per i circuiti ad alte prestazioni. Il dispositivo è alloggiato in un pacchetto 8-HSOP, che garantisce un montaggio superficiale compatto e affidabile.

Conformità RoHS

Pacchetto ad alta potenza

Placcatura senza Pb

Senza alogeni

Rg e UIS testati

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