MOSFET ROHM, canale Tipo P 80 V, 52 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, HSOP-8, Superficie RQ3N060ATTB1

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Codice RS:
331-689
Codice costruttore:
RQ3N060ATTB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

HSOP-8

Serie

RQ3N060AT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

52mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

20W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

50nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM è un MOSFET a bassa resistenza di accensione ideale per applicazioni di commutazione e azionamenti di motori. Questo MOSFET di potenza viene fornito in un pacchetto di stampo piccolo ad alta potenza.

Placcatura senza Pb

Conformità RoHS

Senza alogeni

Testato al 100 percento da Rg e UIS

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