MOSFET ROHM, canale Tipo P 80 V, 52 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, HSOP-8, Superficie RQ3N060ATTB1
- Codice RS:
- 331-689
- Codice costruttore:
- RQ3N060ATTB1
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 10 unità*
6,87 €
(IVA esclusa)
8,38 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 100 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,687 € | 6,87 € |
| 100 - 240 | 0,653 € | 6,53 € |
| 250 - 490 | 0,605 € | 6,05 € |
| 500 - 990 | 0,557 € | 5,57 € |
| 1000 + | 0,536 € | 5,36 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 331-689
- Codice costruttore:
- RQ3N060ATTB1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | HSOP-8 | |
| Serie | RQ3N060AT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 52mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 20W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 50nC | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package HSOP-8 | ||
Serie RQ3N060AT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 52mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 20W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 50nC | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza ROHM è un MOSFET a bassa resistenza di accensione ideale per applicazioni di commutazione e azionamenti di motori. Questo MOSFET di potenza viene fornito in un pacchetto di stampo piccolo ad alta potenza.
Placcatura senza Pb
Conformità RoHS
Senza alogeni
Testato al 100 percento da Rg e UIS
Link consigliati
- MOSFET ROHM 52 mΩ P 8 Pin Superficie RS1G201ATTB1
- MOSFET ROHM 21.0 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie RS1N110ATTB1
- 2 MOSFET ROHM 127 mΩ HSOP-8 8 Pin HP8JE5TB1
- 2 MOSFET ROHM Tipo N HSOP-8 8 Pin HP8MC5TB1
- 2 MOSFET ROHM Doppio (Nch+Pch) Tipo N HSOP-8 8 Pin HP8MB5TB1
- 2 MOSFET ROHM Doppio (Nch+Pch) Tipo P HSOP-8 8 Pin HP8ME5TB1
- MOSFET ROHM 2.7 mΩ Miglioramento HSOP-8
- MOSFET ROHM 2.7 mΩ Miglioramento HSOP-8 RS6L120BGTB1
