MOSFET ROHM, canale Tipo N 600 V, 2.15 Ω Miglioramento, 3 Pin, SOT-223-3, Superficie R6003JND4TL1
- Codice RS:
- 264-849
- Codice costruttore:
- R6003JND4TL1
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 nastro da 10 unità*
7,73 €
(IVA esclusa)
9,43 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 60 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,773 € | 7,73 € |
| 100 - 240 | 0,733 € | 7,33 € |
| 250 - 490 | 0,678 € | 6,78 € |
| 500 - 990 | 0,625 € | 6,25 € |
| 1000 + | 0,602 € | 6,02 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-849
- Codice costruttore:
- R6003JND4TL1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | SOT-223-3 | |
| Serie | R60 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.15Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 7.8W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package SOT-223-3 | ||
Serie R60 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.15Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 7.8W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOS Presto di ROHM 600V 1,3A SOT 223 3 con diodo ad alta velocità integrato è un MOSFET di potenza con un rapido tempo di recupero inverso, adatto alle applicazioni di commutazione. Il che aumenta la flessibilità di progettazione, mantenendo il tempo di recupero inverso più veloce del settore, ottimizzato per le stazioni di ricarica dei veicoli elettrici e per l'azionamento dei motori di elettrodomestici come frigoriferi e condizionatori d'aria.
Tempo di recupero inverso veloce
Bassa resistenza in stato attivo
Velocità di commutazione rapida
I circuiti di azionamento possono essere semplici
Placcatura senza Pb e conforme a RoHS
Link consigliati
- MOSFET ROHM 0.98 Ω Miglioramento SOT-223-3, Superficie R6004END4TL1
- MOSFET ROHM 1.5 Ω Miglioramento SOT-223-3, Superficie R6003KND4TL1
- MOSFET ROHM 870 mΩ Miglioramento SOT-223-3, Superficie R6006KND4TL1
- MOSFET ROHM 3.25 Ω Miglioramento SOT-223-3, Superficie R6002JND4TL1
- MOSFET Infineon 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 360 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPN80R600P7ATMA1
- MOSFET Infineon 360 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPN60R360P7SATMA1