MOSFET ROHM, canale N 1.2 kV, 81 mΩ Miglioramento, 24 A, 7 Pin, TO-263-7LA, Superficie SCT4062KWAHRTL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-886
Codice costruttore:
SCT4062KWAHRTL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Tipo di package

TO-263-7LA

Serie

SCT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

81mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

3.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

21V

Dissipazione di potenza massima Pd

93W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

64nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET al carburo di silicio (SiC) di ROHM presenta un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione.

Qualificato secondo AEC-Q101

Bassa resistenza in stato attivo

Velocità di commutazione rapida

Recupero rapido dell'inversione

Facile da mettere in parallelo

Semplice da guidare

Placcatura al piombo senza Pb e conforme alla normativa RoHS

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