MOSFET singoli ROHM, canale N 1200 V, 36 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TO-263-7LA, Superficie SCT4036KWATL
- Codice RS:
- 687-344
- Codice costruttore:
- SCT4036KWATL
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 nastro da 2 unità*
24,60 €
(IVA esclusa)
30,02 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 18 maggio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 12,30 € | 24,60 € |
| 10 + | 11,935 € | 23,87 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 687-344
- Codice costruttore:
- SCT4036KWATL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | SCT4036KWA | |
| Tipo di package | TO-263-7LA | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 36mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 91nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 21V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 10.2mm | |
| Lunghezza | 15.4mm | |
| Altezza | 4.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie SCT4036KWA | ||
Tipo di package TO-263-7LA | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 36mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 91nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 21V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 10.2mm | ||
Lunghezza 15.4mm | ||
Altezza 4.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TH
Il MOSFET di potenza SiC a canale N ROHM, progettato per applicazioni ad alte prestazioni che richiedono capacità di commutazione efficienti. Con una tensione massima drain-source di 1200 V e una resistenza di accensione tipica di 36 mΩ, questo dispositivo eccelle in ambienti difficili come gli inverter solari e i convertitori CC/CC. Il suo design robusto è caratterizzato da un'elevata corrente di drenaggio continuo di 40 A a 25 °C, che favorisce la versatilità in varie applicazioni. Il dispositivo è ottimizzato per una commutazione rapida, garantendo una maggiore efficienza. Inoltre, la placcatura senza piombo è conforme agli standard RoHS, garantendo un approccio ecologico senza compromettere le prestazioni.
Bassa resistenza di accensione per una perdita di potenza minima durante il funzionamento
Supporta un'ampia gamma di correnti di drenaggio continue e a impulsi per una maggiore flessibilità nella progettazione
Ottimizzato per velocità di commutazione elevate, contribuisce a migliorare l'efficienza complessiva
Presenta robuste capacità di resistenza termica, che consentono un funzionamento affidabile a temperature elevate
Il semplice design del gate drive facilita l'integrazione nei sistemi esistenti
Conforme alle normative ambientali grazie alla placcatura senza piombo, in linea con le pratiche di sostenibilità contemporanee
L'ampia distanza di scorrimento di 4,7 mm aumenta l'affidabilità nelle applicazioni ad alta tensione