MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 1200 V, 36 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TO-263-7LA, Superficie SCT4036KWATL

Il MOSFET di potenza SiC a canale N ROHM, progettato per applicazioni ad alte prestazioni che richiedono capacità di commutazione efficienti. Con una tensione massima drain-source di 1200 V e una resistenza di accensione tipica di 36 mΩ, questo dispositivo eccelle in ambienti difficili come gli inverter solari e i convertitori CC/CC. Il suo design robusto è caratterizzato da un'elevata corrente di drenaggio continuo di 40 A a 25 °C, che favorisce la versatilità in varie applicazioni. Il dispositivo è ottimizzato per una commutazione rapida, garantendo una maggiore efficienza. Inoltre, la placcatura senza piombo è conforme agli standard RoHS, garantendo un approccio ecologico senza compromettere le prestazioni.

Bassa resistenza di accensione per una perdita di potenza minima durante il funzionamento