MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 1200 V, 36 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TO-263-7LA, Superficie SCT4036KWATL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
687-344
Codice costruttore:
SCT4036KWATL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-263-7LA

Serie

SCT4036KWA

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

36mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

91nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

21 V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

15.4mm

Larghezza

10.2 mm

Altezza

4.5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Il MOSFET di potenza SiC a canale N ROHM, progettato per applicazioni ad alte prestazioni che richiedono capacità di commutazione efficienti. Con una tensione massima drain-source di 1200 V e una resistenza di accensione tipica di 36 mΩ, questo dispositivo eccelle in ambienti difficili come gli inverter solari e i convertitori CC/CC. Il suo design robusto è caratterizzato da un'elevata corrente di drenaggio continuo di 40 A a 25 °C, che favorisce la versatilità in varie applicazioni. Il dispositivo è ottimizzato per una commutazione rapida, garantendo una maggiore efficienza. Inoltre, la placcatura senza piombo è conforme agli standard RoHS, garantendo un approccio ecologico senza compromettere le prestazioni.

Bassa resistenza di accensione per una perdita di potenza minima durante il funzionamento

Supporta un'ampia gamma di correnti di drenaggio continue e a impulsi per una maggiore flessibilità nella progettazione

Ottimizzato per velocità di commutazione elevate, contribuisce a migliorare l'efficienza complessiva

Presenta robuste capacità di resistenza termica, che consentono un funzionamento affidabile a temperature elevate

Il semplice design del gate drive facilita l'integrazione nei sistemi esistenti

Conforme alle normative ambientali grazie alla placcatura senza piombo, in linea con le pratiche di sostenibilità contemporanee

L'ampia distanza di scorrimento di 4,7 mm aumenta l'affidabilità nelle applicazioni ad alta tensione

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