MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 1200 V, 18 mΩ Miglioramento, 75 A, 8 Pin, TO-263-7LA, Superficie SCT4018KWATL
- Codice RS:
- 687-342
- Codice costruttore:
- SCT4018KWATL
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 687-342
- Codice costruttore:
- SCT4018KWATL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 75A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | SCT4018KWA | |
| Tipo di package | TO-263-7LA | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 18mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 170nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 267W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 21 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.5mm | |
| Larghezza | 10.2 mm | |
| Lunghezza | 15.4mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 75A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie SCT4018KWA | ||
Tipo di package TO-263-7LA | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 18mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 170nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 267W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 21 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.5mm | ||
Larghezza 10.2 mm | ||
Lunghezza 15.4mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TH
Il MOSFET di potenza SiC a canale N ROHM, progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in una varietà di applicazioni. Con una tensione massima drain-source di 1200 V e una bassa resistenza in stato attivo di 18 mΩ, questo MOSFET ottimizza le prestazioni in sistemi ad alta efficienza come gli inverter solari e il riscaldamento a induzione. Offre una gestione termica robusta con un intervallo di temperatura di giunzione fino a 175 °C, garantendo un funzionamento affidabile anche in ambienti difficili. Il dispositivo è caratterizzato da una velocità di commutazione elevata, che lo rende ideale per le applicazioni che richiedono una commutazione ad alta frequenza, migliorando così l'efficienza e le prestazioni complessive del sistema.
La bassa resistenza di accensione garantisce una perdita di energia minima durante il funzionamento
Supporta velocità di commutazione elevate per una maggiore efficienza
Prodotto progettato per un facile funzionamento in parallelo, che facilita la scalabilità
Le robuste caratteristiche termiche consentono il funzionamento in condizioni estreme
La placcatura senza piombo è conforme agli standard RoHS per la sicurezza ambientale
L'ampia distanza di scorrimento di 4,7 mm aumenta l'affidabilità nelle applicazioni ad alta tensione
Ideale per varie applicazioni, tra cui inverter solari e convertitori CC/CC