MOSFET Infineon, canale Dual N, 1,8 kA, Vassoio, Montaggio a vite

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Codice RS:
277-192
Codice costruttore:
FF1800XTR17T2P5BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Dual N

Corrente massima continuativa di drain

1,8 kA

Tensione massima drain source

1700 V

Serie

XHP

Tipo di package

Vassoio

Tipo di montaggio

Montaggio a vite

Modalità del canale

Depletion

Numero di elementi per chip

2

Materiale del transistor

SiC

Paese di origine:
DE
Il modulo IGBT Infineon è un modulo IGBT doppio XHP 2 da 1700 V, 1800 A con tecnologia di interconnessione .XT e TRENCHSTOP IGBT5 per un'elevata affidabilità e robustezza, combinata con la disponibilità del sistema e una lunga durata per applicazioni di trazione ed eoliche ad alta potenza.

Legami di rame per un'elevata capacità di trasporto di corrente
Sinterizzazione dei chip per la massima capacità di cicli di alimentazione
Minore sforzo di raffreddamento a parità di potenza di uscita
Consente condizioni di sovraccarico del sistema più elevate

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