MOSFET Infineon, canale Tipo P 4500 V, 1.2 kA Depletion, Vassoio, Telaio FZ1200R45HL4S7BPSA1

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Codice RS:
277-199
Codice costruttore:
FZ1200R45HL4S7BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.2kA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

4500V

Serie

FZ1200

Tipo di package

Vassoio

Tipo montaggio

Telaio

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

2.95V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2400kW

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
HU
Il modulo IGBT di Infineon è un modulo IGBT a singolo interruttore IHV-B da 4500 V, 1200 A da 190 mm con IGBT4 a trincea/arresto di campo, diodo controllato dall'emettitore e piastra di base isolata in AlSiC. La soluzione migliore per le vostre applicazioni industriali.

Elevata densità di potenza

Per progetti di inverter compatti

Alloggiamento standardizzato

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