MOSFET Infineon, canale Dual N, 720 A, Vassoio, Montaggio a vite
- Codice RS:
- 277-195
- Codice costruttore:
- FF2600UXTR33T2M1BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Non disponibile
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- Codice RS:
- 277-195
- Codice costruttore:
- FF2600UXTR33T2M1BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Dual N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 720 A | |
| Tensione massima drain source | 3300 V | |
| Serie | XHP | |
| Tipo di package | Vassoio | |
| Tipo di montaggio | Montaggio a vite | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Materiale del transistor | SiC | |
| Numero di elementi per chip | 2 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Dual N | ||
Corrente massima continuativa di drain 720 A | ||
Tensione massima drain source 3300 V | ||
Serie XHP | ||
Tipo di package Vassoio | ||
Tipo di montaggio Montaggio a vite | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Materiale del transistor SiC | ||
Numero di elementi per chip 2 | ||
- Paese di origine:
- DE
Il modulo half bridge Infineon XHP 2 CoolSiC MOSFET da 3,3 kV, 2,5 mΩ con tecnologia di interconnessione XT per la decarbonizzazione dei trasporti.
Diodo di corpo integrato
Alloggiamento XHP 2
Efficienza energetica
Elevata densità di potenza
Vita utile migliorata
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