MOSFET Infineon, canale Tipo N, 16 mΩ 1200 V, 65 A Miglioramento, Vassoio, Morsetto a vite F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1

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Codice RS:
349-248
Codice costruttore:
F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

Vassoio

Serie

EasyPACK

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

16mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

5.35V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60747, IEC 60068, RoHS, IEC 60749

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo MOSFET G1 EasyPACK 2B CoolSiC Infineon ha a 3 livelli in topologia NPC2 da 1200 V e 11 mΩ con NTC, materiale di interfaccia termica preapplicato e tecnologia di contatto PressFIT. Il MOSFET presenta il miglior packaging della categoria, con un'altezza compatta di soli 12 mm, progettato per garantire prestazioni ottimali nell'elettronica di potenza. Utilizza materiali a banda interdetta ampia all'avanguardia, che ne migliorano l'efficienza e l'affidabilità. Il progetto incorpora un'induttanza parassita del modulo molto bassa, che garantisce una perdita di potenza minima e un migliore comportamento di commutazione.

Eccezionale efficienza del modulo

Vantaggi in termini di costi del sistema

Miglioramento dell'efficienza del sistema

Riduzione dei requisiti di raffreddamento

Abilitazione di una frequenza più elevata

Aumento della densità di potenza

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