MOSFET Vishay, canale P, 1,2 Ω, 700 mA, HVMDIP, Su foro

Name: MOSFET Vishay, canale P, 1,2 Ω, 700 mA, HVMDIP, Su foro
Brand: Vishay
SKU: 541-0749
Price: 1.78 EUR
Availability: InStock

9 In consegna il giorno lavorativo successivo per ordini pervenuti entro le 19:00 (magazzino in Italia)

49 Entro 4 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa).

Prezzo per Unità

1,46 €

(IVA esclusa)

1,78 €

(IVA inclusa)

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	700 mA
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	HVMDIP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	1,2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	1,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	8,7 nC a 10 V
Larghezza	6.29mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	3.37mm

Link consigliati