MOSFET Infineon, canale P, 1,2 kA, Vassoio, Montaggio a telaio

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Codice RS:
277-198
Codice costruttore:
FZ1200R45HL4BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

1,2 kA

Tensione massima drain source

4500 V

Serie

FZ1200

Tipo di package

Vassoio

Tipo di montaggio

Montaggio a telaio

Modalità del canale

Depletion

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

3

Paese di origine:
HU
Il modulo IGBT di Infineon è un modulo IGBT a singolo interruttore IHV-B da 4500 V, 1200 A da 190 mm con IGBT4 a trincea/arresto di campo, diodo controllato dall'emettitore e piastra di base isolata in AlSiC. La soluzione migliore per le vostre applicazioni industriali.

Elevata densità di potenza
Per progetti di inverter compatti
Alloggiamento standardizzato

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