MOSFET Infineon, canale N, 310 A, PG-HSOG-8-1, Montaggio superficiale

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Codice RS:
284-708
Codice costruttore:
IAUTN12S5N018GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

310 A

Tensione massima drain source

120 V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-HSOG-8-1

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

Il MOSFET di potenza per autoveicoli Infineon OptiMOS 5 è stato progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche, garantendo prestazioni e affidabilità eccezionali. Con la sua robusta configurazione in modalità enhancement del canale N, questo MOSFET eccelle in condizioni difficili, offrendo qualifiche estese che superano gli standard del settore. Funziona efficacemente a temperature fino a 175°C ed è sottoposto a test elettrici avanzati, il che lo rende un componente essenziale per i progetti automobilistici innovativi. Il dispositivo è ottimizzato per ridurre al minimo la carica di recupero inversa, il che si traduce in una maggiore efficienza e in una minore perdita di energia nelle applicazioni. Questa combinazione di elevata durata e prestazioni di alto livello ne fa una scelta essenziale per gli ingegneri automobilistici che cercano soluzioni affidabili per i loro progetti.

Ottimizzato per l'alta affidabilità nel settore automobilistico
Eccellenti prestazioni termiche fino a 175°C
Bassa resistenza di stato per l'efficienza energetica
Valanga per la protezione da sovracorrente
Conforme alla direttiva RoHS per gli standard ambientali
Design robusto per correnti d'impulso elevate
100% testato in valanga per garantire la qualità

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