MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 6.3 mΩ, 122 A, 8 Pin, HSOG

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Codice RS:
259-2739
Codice costruttore:
IPTG063N15NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

122A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

IPT

Tipo di package

HSOG

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.3mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.84V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

50nC

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC 61249-2-21

Lunghezza

10.1mm

Larghezza

8.75 mm

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

I dispositivi MOSFET di potenza industriali Infineon OptiMOS 5 a 80 V e 100 V sono progettati per la rettifica sincrona nelle applicazioni di alimentazione di telecomunicazioni e server, ma sono anche la scelta ideale per altre applicazioni, come ad esempio i dispositivi solari, gli azionamenti a bassa tensione e l'adattatore per computer portatili. Con un ampio portafoglio di contenitori, questa famiglia di MOSFET di potenza offre il più basso RDS(on) del settore. Uno dei maggiori contributi a questa figura di merito (FOM) leader del settore è la bassa resistenza allo stato attivo con un valore di appena 2,7 mΩ nel contenitore SuperSO8, che fornisce il più alto livello di densità di potenza ed efficienza.

Canale N, livello normale

Resistenza on-on RDS(on) molto bassa

Superiore resistenza termica

Testato al 100% contro le valanghe

Placcatura del cavo senza piombo; Conforme a RoHS

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-22

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