MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 6.3 mΩ, 122 A, 8 Pin, HSOG IPTG063N15NM5ATMA1
- Codice RS:
- 259-2740
- Codice costruttore:
- IPTG063N15NM5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 259-2740
- Codice costruttore:
- IPTG063N15NM5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 122A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Tipo di package | HSOG | |
| Serie | IPT | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.3mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 0.84V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 50nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 214W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 8.75 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Altezza | 2.4mm | |
| Lunghezza | 10.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 122A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Tipo di package HSOG | ||
Serie IPT | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.3mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 0.84V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 50nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 214W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 8.75 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Altezza 2.4mm | ||
Lunghezza 10.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
I dispositivi MOSFET di potenza industriali Infineon OptiMOS 5 a 80 V e 100 V sono progettati per la rettifica sincrona nelle applicazioni di alimentazione di telecomunicazioni e server, ma sono anche la scelta ideale per altre applicazioni, come ad esempio i dispositivi solari, gli azionamenti a bassa tensione e l'adattatore per computer portatili. Con un ampio portafoglio di contenitori, questa famiglia di MOSFET di potenza offre il più basso RDS(on) del settore. Uno dei maggiori contributi a questa figura di merito (FOM) leader del settore è la bassa resistenza allo stato attivo con un valore di appena 2,7 mΩ nel contenitore SuperSO8, che fornisce il più alto livello di densità di potenza ed efficienza.
Canale N, livello normale
Resistenza on-on RDS(on) molto bassa
Superiore resistenza termica
Testato al 100% contro le valanghe
Placcatura del cavo senza piombo; Conforme a RoHS
Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-22
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