MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 6.3 mΩ, 122 A, 8 Pin, HSOG IPTG063N15NM5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
259-2740
Codice costruttore:
IPTG063N15NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

122A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

HSOG

Serie

IPT

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.3mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

50nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Tensione diretta Vf

0.84V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.1mm

Altezza

2.4mm

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC 61249-2-21

Standard automobilistico

No

I dispositivi MOSFET di potenza industriali Infineon OptiMOS 5 a 80 V e 100 V sono progettati per la rettifica sincrona nelle applicazioni di alimentazione di telecomunicazioni e server, ma sono anche la scelta ideale per altre applicazioni, come ad esempio i dispositivi solari, gli azionamenti a bassa tensione e l'adattatore per computer portatili. Con un ampio portafoglio di contenitori, questa famiglia di MOSFET di potenza offre il più basso RDS(on) del settore. Uno dei maggiori contributi a questa figura di merito (FOM) leader del settore è la bassa resistenza allo stato attivo con un valore di appena 2,7 mΩ nel contenitore SuperSO8, che fornisce il più alto livello di densità di potenza ed efficienza.

Canale N, livello normale

Resistenza on-on RDS(on) molto bassa

Superiore resistenza termica

Testato al 100% contro le valanghe

Placcatura del cavo senza piombo; Conforme a RoHS

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-22

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