MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 6.3 mΩ, 122 A, 16 Pin, HDSOP

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Codice RS:
259-2735
Codice costruttore:
IPTC063N15NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

122A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

HDSOP

Serie

IPT

Numero pin

16

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.3mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

50nC

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.84V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

10.3 mm

Lunghezza

10.1mm

Altezza

2.35mm

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC 61249-2-21

Standard automobilistico

No

I dispositivi MOSFET di potenza industriali Infineon OptiMOS 5 a 80 V e 100 V sono progettati per la rettifica sincrona nelle applicazioni di alimentazione di telecomunicazioni e server, ma sono anche la scelta ideale per altre applicazioni, come ad esempio i dispositivi solari, gli azionamenti a bassa tensione e l'adattatore per computer portatili. Con un ampio portafoglio di contenitori, questa famiglia di MOSFET di potenza offre il più basso RDS(on) del settore. Uno dei maggiori contributi a questa figura di merito (FOM) leader del settore è la bassa resistenza allo stato attivo con un valore di appena 2,7 mΩ nel contenitore SuperSO8, che fornisce il più alto livello di densità di potenza ed efficienza.

Canale N, livello normale

Resistenza on-on RDS(on) molto bassa

Superiore resistenza termica

Testato al 100% contro le valanghe

Placcatura del cavo senza piombo; Conforme a RoHS

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-26

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