MOSFET Infineon, canale N, 28 A, PG-HSOF-8, Montaggio superficiale

Il MOSFET Infineon è dotato di un avanzato dispositivo di potenza CoolMOS CFD7 da 650 V, progettato per garantire prestazioni eccezionali nelle topologie di commutazione risonanti, comprese le applicazioni a ponte intero LLC e a sfasamento. Con un'attenzione particolare al miglioramento dell'efficienza e del comportamento termico, questo prodotto è la soluzione ideale per le applicazioni più esigenti come i server, i sistemi di telecomunicazione e la ricarica dei veicoli elettrici. L'inclusione di un diodo a corpo rapido aumenta l'affidabilità, in particolare negli scenari di commutazione rapida. Evoluzione dell'affermata serie CFD2, questo innovativo MOSFET sfrutta caratteristiche di commutazione superiori e offre una maggiore robustezza nei confronti di eventi di commutazione difficili. Il suo design non solo soddisfa ma supera gli standard del settore per quanto riguarda l'efficienza e le prestazioni termiche, rendendolo un componente prezioso per le soluzioni ad alta densità di potenza.

Corpo diodo ultraveloce per prestazioni ad alta velocità
Riduce al minimo le perdite di commutazione per un utilizzo ottimale dell'energia
Eccezionale robustezza per una maggiore sicurezza
Ottimizzato per applicazioni industriali SMPS
Completamente qualificato JEDEC per ambienti industriali
Supporta un'elevata densità di potenza per progetti compatti
Progettato per l'integrazione a ponte intero con sfasamento