MOSFET Infineon, canale N, 43 A, PG-HSOF-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:
284-901
Codice costruttore:
IPT65R060CFD7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

43 A

Tensione massima drain source

650 V

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Tipo di package

PG-HSOF-8

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

Il MOSFET Infineon è un dispositivo di potenza altamente efficiente che vanta una tecnologia all'avanguardia progettata per le applicazioni più esigenti. L'ultima iterazione del CoolMOS CFD7 da 650 V è caratterizzata da eccezionali prestazioni di commutazione abbinate a un comportamento termico straordinario, che la rendono la scelta ideale per le topologie di commutazione risonanti come LLC e full bridge a sfasamento. Come successore del CoolMOS CFD2, promette efficienza e affidabilità superiori in applicazioni industriali che vanno dai server alle soluzioni di ricarica per veicoli elettrici. Questo dispositivo consente agli ingegneri di superare i limiti della densità di potenza e della gestione termica nei loro progetti, garantendo prestazioni robuste anche in condizioni di temperatura elevata.

Il diodo di corpo ultraveloce migliora l'efficienza
Ottimizzato per un'elevata densità di potenza
Il migliore della categoria RDS(on) riduce al minimo le perdite
Prestazioni costanti a tutte le temperature
Eccezionale efficienza ai carichi leggeri
Maggiori margini di sicurezza per l'alta tensione
Completamente qualificato JEDEC

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