MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.47 mΩ Miglioramento, 610 A, 9 Pin, PG-TTFN-9, Superficie IQD005N04NM6CGATMA1

Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza OptiMOS 6 che combina prestazioni eccezionali con robusta affidabilità, il che lo rende una scelta TOP per le applicazioni più impegnative. Questo MOSFET a canale N è progettato per gli ambienti industriali e offre una tensione massima di drain source di 40 V e un'impressionante corrente continua di drain nominale fino a 610 A. Questo dispositivo a semiconduttore eccelle nella gestione termica, il che lo rende ideale per le impostazioni ad alta temperatura e alta potenza, facilitando una maggiore durata e prestazioni costanti sotto carico. Con l'impegno a rispettare l'ambiente, è conforme alla direttiva RoHS e non contiene alogeni, allineandosi ai moderni standard ambientali e offrendo al contempo una qualità ingegneristica superiore.

Eccezionale resistenza termica per l'affidabilità