MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 600 mΩ, 7 A, 3 Pin, TO-220FP, Foro passante STF80N600K6
- Codice RS:
- 330-462
- Codice costruttore:
- STF80N600K6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 1,903 € | 95,15 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 330-462
- Codice costruttore:
- STF80N600K6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Serie | STF | |
| Tipo di package | TO-220FP | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 600mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 23W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10.7nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 10.4 mm | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Lunghezza | 30.6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Serie STF | ||
Tipo di package TO-220FP | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 600mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 23W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10.7nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 10.4 mm | ||
Altezza 4.6mm | ||
Lunghezza 30.6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Esente
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione di STMicroelectronics è stato progettato utilizzando l'ultima tecnologia MDmesh K6, basata su 20 anni di esperienza di STMicroelectronics nella tecnologia a supergiunzione. Il risultato è la migliore resistenza all'accensione della categoria per area e carica del gate per le applicazioni che richiedono un'eccellente densità di potenza e un'elevata efficienza.
Carica di gate ultra bassa
Protetto da Zener
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