MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 80 V, 900 mΩ, 6 A, 3 Pin, TO-220FP, Foro passante STF80N900K6

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Codice RS:
330-464
Codice costruttore:
STF80N900K6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

STF

Tipo di package

TO-220FP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

21.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.6mm

Lunghezza

30.6mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

10.4 mm

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione di STMicroelectronics è stato progettato utilizzando l'ultima tecnologia MDmesh K6, basata su 20 anni di esperienza di STMicroelectronics nella tecnologia a supergiunzione. Il risultato è la migliore resistenza all'accensione della categoria per area e carica del gate per le applicazioni che richiedono un'eccellente densità di potenza e un'elevata efficienza.

Carica di gate ultra bassa

Protetto da Zener

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