MOSFET Microchip, canale Tipo P, Tipo N 200 V Miglioramento, 8 Pin, SOIC, Superficie TC6320TG-G
- Codice RS:
- 333-204
- Codice costruttore:
- TC6320TG-G
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 1 bobina da 3300 unità*
10.183,80 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3300 + | 3,086 € | 10.183,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 333-204
- Codice costruttore:
- TC6320TG-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | TC6320 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie TC6320 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET Microchip sono MOSFET ad alta tensione e bassa soglia a canale N e P in package VDFN e SOIC a 8 conduttori. Entrambi i MOSFET sono dotati di resistenze integrate gate-source e di diodi Zener gate-source, che sono desiderati per le applicazioni ad alta tensione. Si tratta di una coppia di MOSFET complementari, ad alta velocità e alta tensione, con canale N e canale P bloccati dal gate, che utilizza una struttura DMOS verticale avanzata e un processo di produzione del gate in silicio ben collaudato.
Resistenza gate-sorgente integrata
Diodo zener integrato da gate a source
Soglia bassa
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità di ingresso
Velocità di commutazione rapida
Privo di guasti secondari
Bassa perdita in ingresso e in uscita
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