MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 27 mΩ Miglioramento, 81 A, 22 Pin, PG-HDSOP-22, Superficie AIMDQ75R020M1HXUMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

22,06 €

(IVA esclusa)

26,91 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 15 novembre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 922,06 €
10 - 9919,86 €
100 +18,31 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
348-930
Codice costruttore:
AIMDQ75R020M1HXUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

81A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Tipo di package

PG-HDSOP-22

Serie

CoolSiC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

22

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

27mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Dissipazione di potenza massima Pd

326W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

67nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il MOSFET CoolSiC Infineon da 750 V è realizzato sulla base della tecnologia del carburo di silicio solido sviluppata da Infineon in oltre 20 anni. Sfruttando le caratteristiche del materiale TiC a banda interdetta ampia, il MOSFET CoolSiC da 750 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. Adatto alle alte temperature e alle operazioni più gravose, consente di semplificare e rendere conveniente l'implementazione della massima efficienza del sistema.

Tecnologia proprietaria Infineon per l'aggancio della matrice

Pin sorgente del driver disponibile

Maggiore robustezza e affidabilità per tensioni del bus superiori a 500 V

Efficienza superiore in caso di hard switching

Frequenza di commutazione più elevata nelle topologie a soft switching

Robustezza contro l'accensione parassita per il pilotaggio unipolare del gate

La migliore dissipazione termica della categoria

Riduzione delle perdite di commutazione grazie al miglioramento del controllo del gate

Link consigliati