MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 8.5 mΩ Miglioramento, 238 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie IMBG65R007M2HXTMA1

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Codice RS:
349-322
Codice costruttore:
IMBG65R007M2HXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

238A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-TO263-7

Serie

CoolSiC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

179nC

Dissipazione di potenza massima Pd

789W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET G2 CoolSiC Infineon da 650 V è realizzato sulla base della robusta tecnologia trench al carburo di silicio di seconda generazione di Infineon, che offre prestazioni ineguagliabili, affidabilità superiore ed eccezionale facilità d'uso. Questo MOSFET consente di realizzare progetti economici, altamente efficienti e semplificati, rispondendo alle esigenze sempre crescenti dei moderni sistemi e mercati di potenza. È ideale per le applicazioni che richiedono alta efficienza e prestazioni robuste, fornendo una soluzione affidabile per un'ampia gamma di elettronica di potenza.

Perdite di commutazione bassissime

Prodotto affidabile contro l'accensione parassita grazie anche a una tensione di gate di spegnimento di 0 V

Tensione di pilotaggio flessibile e compatibile con lo schema di pilotaggio bipolare

Funzionamento robusto del diodo intrinseco in presenza di eventi di commutazione difficili

La tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria

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