MOSFET Infineon, canale N 650 V, 8.5 mΩ Miglioramento, 238 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie IMBG65R007M2HXTMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N in carburo di silicio progettato per attività di commutazione e conversione di potenza ad alta tensione. Funziona in un'ampia gamma di ambienti, il che lo rende adatto per ambienti termici impegnativi, ed è fornito in un pacchetto di alimentazione a montaggio superficiale per l'integrazione in assemblaggi compatti.

• Il valore nominale di drenaggio di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• L'Rds(on) di 8,5 mΩ garantisce basse perdite di conduzione per una maggiore efficienza
• La corrente di drenaggio continua di 238 A supporta carichi di corrente pesanti
• La dissipazione di potenza massima di 789 W gestisce notevoli sollecitazioni termiche
• La carica di gate tipica di 179 nC consente requisiti di gate drive prevedibili
• Il contenitore a montaggio superficiale PG-TO263-7 semplifica l'assemblaggio del circuito stampato per la produzione di massa

• Adatto per inverter nei sistemi di alimentazione industriali
• Ideale per azionamenti per motori ad alta potenza e convertitori di trazione
• Utilizzato con convertitori di energia rinnovabile e ottimizzatori di potenza
• Può essere utilizzato per fasi di conversione CC-CC ad alta tensione
• Impiegato in alimentatori ininterrotti e sistemi collegati alla rete

È classificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo il funzionamento in ambienti a temperature estreme.

La tensione da gate a sorgente non deve superare 23 V per evitare di sollecitare la struttura del gate.

Il componente utilizza una configurazione a sette pin che si adatta al posizionamento a montaggio superficiale standard.

Non è classificato secondo gli standard di livello automobilistico ma è conforme alla direttiva RoHS.