Canale N MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 79 A 600 V, TO-LL, Superficie, 8 Pin STO60N030M9

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Codice RS:
358-978
Codice costruttore:
STO60N030M9
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Frequenza

1 MHz

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

79A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Potenza di uscita

255W

Tipo di package

TO-LL

Serie

STO60

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Canale N

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.4mm

Lunghezza

10mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

11.88 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics si basa sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a supergiunzione, adatta ai MOSFET a media/alta tensione. La tecnologia M9 basata sul silicio beneficia di un processo di produzione multi-drain che consente di migliorare la struttura del dispositivo. Il prodotto risultante ha una resistenza di accensione e valori di carica di gate ridotti, tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida basati sul silicio, rendendolo particolarmente adatto ad applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'efficienza eccezionale.

FOM molto bassa

Valutazione VDSS più elevata

Capacità di dv per dt più elevata

Facile da azionare

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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