Canale N MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 545 A 60 V, TO-LL, Superficie Miglioramento, 8 Pin STO450N6F7
- Codice RS:
- 558-985
- Codice costruttore:
- STO450N6F7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 bobina da 1800 unità*
5158,80 €
(IVA esclusa)
6294,60 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1800 + | 2,866 € | 5.158,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 558-985
- Codice costruttore:
- STO450N6F7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 545A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | STripFET F7 | |
| Tipo di package | TO-LL | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Canale N | |
| Larghezza | 10.1 mm | |
| Lunghezza | 10.58mm | |
| Altezza | 2.4mm | |
| Standard/Approvazioni | ECOPACK | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 545A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie STripFET F7 | ||
Tipo di package TO-LL | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Canale N | ||
Larghezza 10.1 mm | ||
Lunghezza 10.58mm | ||
Altezza 2.4mm | ||
Standard/Approvazioni ECOPACK | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura di gate a trincea migliorata che consente di ottenere una resistenza on-state molto bassa, riducendo al contempo la capacità interna e la carica di gate per una commutazione più rapida ed efficiente.
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