Canale N MOSFET STMicroelectronics, canale N, 55 A 600 V, TO-LL, Superficie, 8 Pin STO60N045DM9
- Codice RS:
- 358-979
- Codice costruttore:
- STO60N045DM9
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 358-979
- Codice costruttore:
- STO60N045DM9
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Frequenza | 1MHz | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 55A | |
| Potenza di uscita | 255W | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | STO60 | |
| Tipo di package | TO-LL | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Canale N | |
| Lunghezza | 11.88mm | |
| Altezza | 2.4mm | |
| Larghezza | 10mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Frequenza 1MHz | ||
Massima corrente di scarico continua Id 55A | ||
Potenza di uscita 255W | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie STO60 | ||
Tipo di package TO-LL | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Canale N | ||
Lunghezza 11.88mm | ||
Altezza 2.4mm | ||
Larghezza 10mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics si basa sulla più innovativa tecnologia MDmesh DM9 a supergiunzione, adatta ai MOSFET a media/alta tensione. La tecnologia DM9 basata sul silicio beneficia di un processo di produzione multi-drain che consente di migliorare la struttura del dispositivo. Il diodo, caratterizzato da una carica di recupero (Qrr), un tempo (trr) e una RDS(on) molto bassi, rende questo MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida adatto alle topologie a ponte ad alta efficienza più esigenti e ai convertitori a variazione di fase ZVS.
Diodo intrinseco a recupero rapido
FOM molto bassa
Bassa capacità e resistenza di ingresso
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Robustezza dv per dt estremamente elevata
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