MOSFET onsemi, canale Tipo P 60 V, 180 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie NTD2955T4G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
463-038
Codice costruttore:
NTD2955T4G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

NTD2955

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.25V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

55W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.38mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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