MOSFET Infineon, canale N, 5 mΩ, 180 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 495-578
Codice costruttore:: IRFB4110PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 5 mΩ, 180 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 495-578
Codice costruttore:: IRFB4110PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	180 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	370 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	150 nC @ 10 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.66mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	4.82mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.02mm

MOSFET Infineon, canale N, 5 mΩ, 180 A, TO-220AB, Su foro

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