MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 5 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
124-8963
Codice costruttore:
IRFB4110PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

370W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.66mm

Altezza

9.02mm

Larghezza

4.82 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 180 A, dissipazione di potenza massima di 370 W - IRFB4110PBF


Questo MOSFET è un efficiente transistor di potenza adatto ad applicazioni nei settori dell'automazione, dell'elettronica e dell'elettricità. La sua struttura robusta e le sue specifiche precise rappresentano una soluzione versatile per le applicazioni in cui efficienza e affidabilità sono essenziali. Con un design in modalità enhancement e una configurazione a canale N, è adatto per operazioni di commutazione ad alta velocità.

Caratteristiche e vantaggi


• La corrente di drenaggio continua massima di 180A supporta prestazioni elevate

• L'intervallo di tensione da drenaggio a sorgente di 100 V consente una vasta gamma di applicazioni

• Il basso RDS(on) di 4,5mΩ riduce la perdita di potenza e aumenta l'efficienza

• La capacità di dissipazione di potenza fino a 370 W garantisce la stabilità

• Le caratteristiche termiche migliorate favoriscono l'affidabilità in condizioni estreme

• La caratterizzazione completa della robustezza in valanga e in dinamica dv/dt favorisce la durata

Applicazioni


• Impiegato nel raddrizzamento sincrono ad alta efficienza per gli alimentatori

• Adatto ai sistemi di continuità

• Ideale per circuiti di commutazione di potenza ad alta velocità

• Applicabile nei circuiti a commutazione forte e ad alta frequenza

Qual è l'intervallo di temperatura operativa adatto per ottenere prestazioni ottimali?


Funziona efficacemente da -55°C a +175°C, garantendo la funzionalità in vari ambienti.

In che modo il MOSFET riduce al minimo la perdita di energia nei circuiti?


La bassa RDS(on) di 4,5mΩ riduce significativamente le perdite di conduzione, consentendo un funzionamento efficiente nell'elettronica di potenza.

Può essere utilizzato in applicazioni ad alta frequenza?


Sì, il suo design facilita la commutazione ad alta velocità, rendendolo adatto alle applicazioni che richiedono rapide transizioni on-off.

Quali sono i valori di resistenza termica per un montaggio corretto?


La resistenza termica tra giunzione e involucro è di 0,402°C/W, mentre quella tra involucro e dissipatore è di 0,50°C/W, consentendo un'efficace dissipazione del calore.

Quali sono le caratteristiche delle valanghe da considerare durante l'utilizzo?


Supporta valutazioni di energia a valanga a impulso singolo, fornendo protezione contro i picchi di tensione transitori e garantendo affidabilità nella progettazione dei circuiti.

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