MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 180 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 688-7216
Codice costruttore:: IRLB4030PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 180 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 688-7216
Codice costruttore:: IRLB4030PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	180 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	370 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Larghezza	4.83mm
Carica gate tipica @ Vgs	87 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.02mm

MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 180 A, TO-220AB, Su foro

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