MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 180 A, TO-220AB, Su foro
- Codice RS:
- 688-7216
- Codice costruttore:
- IRLB4030PBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Pack* |
2 - 24 | € 5,58 | € 11,16 |
26 + | € 4,635 | € 9,27 |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 688-7216
- Codice costruttore:
- IRLB4030PBF
- Costruttore:
- Infineon
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon
MOSFET per controllo di motori
MOSFET raddrizzatore sincrono
Specifiche
Attributo | Valore |
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 180 A |
Tensione massima drain source | 100 V |
Tipo di package | TO-220AB |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 4 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 2.5V |
Tensione di soglia gate minima | 1V |
Dissipazione di potenza massima | 370 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -16 V, +16 V |
Massima temperatura operativa | +175 °C |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 87 nC a 4,5 V |
Lunghezza | 10.67mm |
Materiale del transistor | Si |
Larghezza | 4.83mm |
Serie | HEXFET |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 9.02mm |