MOSFET singoli Microchip, canale Canale N FET DMOS 40 V, 1.8 Ω Modalità di potenziamento, 450 mA, 3 Pin, TO-92-3

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Codice RS:
598-471
Codice costruttore:
TP5322K1-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Canale N FET DMOS

Massima corrente di scarico continua Id

450mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-92-3 (TO-226AA)

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8Ω

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Tensione diretta Vf

1.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

4.2mm

Larghezza

4.2 mm

Altezza

5.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Il transistor verticale a modalità di potenziamento del canale P Microchip è un dispositivo a bassa soglia, normalmente spento che utilizza una struttura DMOS verticale e un processo di fabbricazione collaudato con gate al silicio. Questa combinazione fornisce le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari, insieme all'elevata impedenza di ingresso e al coefficiente di temperatura positivo caratteristico dei dispositivi MOS.

Impedenza di ingresso elevata

Velocità di commutazione rapide

Bassa resistenza in stato attivo

Privo di scarica secondaria

Bassa perdita in ingresso e in uscita

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