MOSFET singoli Microchip, canale Canale N FET DMOS 40 V, 1.8 Ω Modalità di potenziamento, 450 mA, 3 Pin, TO-92-3
- Codice RS:
- 598-673
- Codice costruttore:
- TN0104N8-G
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 1,323 € | 2.646,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 598-673
- Codice costruttore:
- TN0104N8-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Canale N FET DMOS | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 450mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Serie | TN0104 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.8Ω | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4.2mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Altezza | 5.3mm | |
| Lunghezza | 4.2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Canale N FET DMOS | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 450mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Serie TN0104 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.8Ω | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4.2mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Altezza 5.3mm | ||
Lunghezza 4.2mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor verticale a bassa soglia con modalità di potenziamento del canale N Microchip è costruito utilizzando una struttura DMOS verticale e un processo di fabbricazione con gate al silicio ben consolidato. Questo design combina le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di fuga termica e guasto secondario indotto termicamente.
Velocità di commutazione rapide
Bassa resistenza in stato attivo
Privo di scarica secondaria
Bassa perdita in ingresso e in uscita
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