MOSFET Microchip, canale Tipo N 250 V Depletion, 3 Pin, TO-252, Superficie DN2625K4-G

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Codice RS:
598-727
Codice costruttore:
DN2625K4-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Serie

DN2625

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Modalità canale

Depletion

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il transistor a modalità di esaurimento a bassa soglia Microchip utilizza una struttura DMOS verticale avanzata e un processo di fabbricazione collaudato con gate al silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari e con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipico dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono un'elevata tensione di scarica, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.

Soglia di tensione gate molto bassa

Progettato per essere azionato dalla sorgente

Basse perdite di commutazione

Bassa capacità effettiva di uscita

Progettato per carichi induttivi

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