MOSFET Microchip, canale Tipo N 250 V Depletion, 3 Pin, TO-252, Superficie DN2625K4-G
- Codice RS:
- 598-727
- Codice costruttore:
- DN2625K4-G
- Costruttore:
- Microchip
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3062,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 1,531 € | 3.062,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 598-727
- Codice costruttore:
- DN2625K4-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | DN2625 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie DN2625 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Modalità canale Depletion | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il transistor a modalità di esaurimento a bassa soglia Microchip utilizza una struttura DMOS verticale avanzata e un processo di fabbricazione collaudato con gate al silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari e con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipico dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono un'elevata tensione di scarica, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.
Soglia di tensione gate molto bassa
Progettato per essere azionato dalla sorgente
Basse perdite di commutazione
Bassa capacità effettiva di uscita
Progettato per carichi induttivi
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