MOSFET RF Microchip, canale Tipo N, 170 mA 700 V, TO-252, Superficie Depletion, 3 Pin DN2470K4-G

Il transistor a modalità di esaurimento a bassa soglia Microchip utilizza una struttura DMOS verticale avanzata e un processo di fabbricazione collaudato con gate al silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari e con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipico dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. Il FET DMOS verticale è ideale per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione in cui si desidera una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di rottura, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e velocità di commutazione rapide.

Impedenza di ingresso elevata