MOSFET Microchip, canale N, 25 Ω, 170 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 177-3294
- Codice costruttore:
- DN2540N8-G
- Costruttore:
- Microchip
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Prezzo per 1pz in confezione da 10
0,984 €
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(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | 0,984 € | 9,84 € |
| 30 - 90 | 0,933 € | 9,33 € |
| 100 + | 0,842 € | 8,42 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 177-3294
- Codice costruttore:
- DN2540N8-G
- Costruttore:
- Microchip
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- TW
Dettagli prodotto
DN2540 è un transistor in modalità impoverimento a bassa soglia (normalmente attivo) caratterizzato da una struttura DMOS verticale avanzata e da un consolidato processo di produzione di porte al silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, un’alta impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione.
Caratteristiche supplementari:
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità di ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa resistenza in stato attivo
Privo di scarica secondaria, bassa dispersione in ingresso e uscita
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità di ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa resistenza in stato attivo
Privo di scarica secondaria, bassa dispersione in ingresso e uscita
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 170 mA |
| Tensione massima drain source | 400 V |
| Tipo di package | TO-243AA |
| Serie | DN2540 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 25 Ω |
| Modalità del canale | Depletion |
| Dissipazione di potenza massima | 1,6 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | 20 V |
| Lunghezza | 4.6mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Larghezza | 2.6mm |
| Tensione diretta del diodo | 1.8V |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 1.6mm |
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