MOSFET Microchip, canale Tipo N 400 V, 25 Ω Depletion, 170 mA, 3 Pin, TO-243, Superficie DN2540N8-G

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

9,30 €

(IVA esclusa)

11,30 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1580 unità in spedizione dal 30 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 200,93 €9,30 €
30 - 900,882 €8,82 €
100 +0,796 €7,96 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
177-3294
Codice costruttore:
DN2540N8-G
Costruttore:
Microchip
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

170mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

400V

Tipo di package

TO-243

Serie

DN2540

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

25Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.6 mm

Lunghezza

4.6mm

Altezza

1.6mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
DN2540 è un transistor in modalità impoverimento a bassa soglia (normalmente attivo) caratterizzato da una struttura DMOS verticale avanzata e da un consolidato processo di produzione di porte al silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, un’alta impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione.

Caratteristiche supplementari:

Elevata impedenza di ingresso

Bassa capacità di ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa resistenza in stato attivo

Privo di scarica secondaria, bassa dispersione in ingresso e uscita

Link consigliati