MOSFET Microchip, canale N 500 V, 1 kΩ Depletion, 30 mA, 4 Pin, TO-243, Superficie LND150N8-G

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Codice RS:
829-3253
Codice costruttore:
LND150N8-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

30mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

TO-243

Serie

LND150

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1kΩ

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

900mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

4.6mm

Larghezza

2.6mm

Altezza

1.6mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Transistor MOSFET con modalità di esaurimento a canale N Supertex


La gamma di transistor DMOS FET con modalità di esaurimento a canale N Supertex di Microchip è ideale per le applicazioni che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, alta impedenza di ingresso, bassa capacità di ingresso e rapida velocità di commutazione.

Caratteristiche


Elevata impedenza di ingresso

Bassa capacità d'ingresso

Velocità elevata di commutazione

Bassa resistenza all'accensione

Privi di scarica secondaria

Bassa dispersione in ingresso e in uscita

Applicazioni


Interruttori normalmente attivi

Relè a stato solido

Convertitori

Amplificatori lineari

Sorgenti di corrente costante

Circuiti di alimentazione

Telecomunicazioni

Transistor MOSFET, Microchip


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