MOSFET Microchip, canale N, 25 Ω, 170 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

DN2540 è un transistor in modalità impoverimento a bassa soglia (normalmente attivo) caratterizzato da una struttura DMOS verticale avanzata e da un consolidato processo di produzione di porte al silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, un’alta impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione.

Caratteristiche supplementari:
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità di ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa resistenza in stato attivo
Privo di scarica secondaria, bassa dispersione in ingresso e uscita