MOSFET Microchip, canale Tipo N 400 V, 25 Ω Depletion, 170 mA, 3 Pin, TO-243, Superficie

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Codice RS:
177-2815
Codice costruttore:
DN2540N8-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

170mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

400V

Serie

DN2540

Tipo di package

TO-243

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

25Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

4.6mm

Larghezza

2.6 mm

Altezza

1.6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
US
DN2540 è un transistor in modalità impoverimento a bassa soglia (normalmente attivo) caratterizzato da una struttura DMOS verticale avanzata e da un consolidato processo di produzione di porte al silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, un’alta impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione.

Caratteristiche supplementari:

Elevata impedenza di ingresso

Bassa capacità di ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa resistenza in stato attivo

Privo di scarica secondaria, bassa dispersione in ingresso e uscita

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