- Codice RS:
- 177-9693
- Codice costruttore:
- TN2540N8-G
- Costruttore:
- Microchip
Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 29/07/2024.
Prezzo per Unità (Su Bobina da 2000)
1,172 €
(IVA esclusa)
1,43 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Bobina* |
2000 + | 1,172 € | 2.344,00 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 177-9693
- Codice costruttore:
- TN2540N8-G
- Costruttore:
- Microchip
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- US
Dettagli prodotto
Questo transistor (normalmente inattivo) a bassa soglia in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per una vasta gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica, unelevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.
Bassa soglia (2 V max.)
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità di ingresso (125 pF max.)
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza in stato attivo
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità di ingresso (125 pF max.)
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza in stato attivo
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 260 mA |
Tensione massima drain source | 400 V |
Tipo di package | TO-243AA |
Serie | TN2540 |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 12 Ω |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 2V |
Tensione di soglia gate minima | 0.6V |
Dissipazione di potenza massima | 1,6 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | 20 V |
Numero di elementi per chip | 1 |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Lunghezza | 4.6mm |
Larghezza | 2.6mm |
Altezza | 1.6mm |
Tensione diretta del diodo | 1.8V |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
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