MOSFET Microchip, canale P, 30 Ω, 125 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

Questo transistor (normalmente inattivo) a bassa soglia in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per una vasta gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica, un’elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.

Bassa soglia (-2.4 V max.)
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità di ingresso (60 pF)
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza in stato attivo
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita