MOSFET Microchip, canale N 400 V, 12 Ω Miglioramento, 260 mA, 3 Pin, TO-243, Superficie TN2540N8-G
- Codice RS:
- 177-9854
- Codice costruttore:
- TN2540N8-G
- Costruttore:
- Microchip
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- Codice RS:
- 177-9854
- Codice costruttore:
- TN2540N8-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 260mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 400V | |
| Tipo di package | TO-243 | |
| Serie | TN2540 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 12Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.6W | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 2.6mm | |
| Altezza | 1.6mm | |
| Lunghezza | 4.6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 260mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 400V | ||
Tipo di package TO-243 | ||
Serie TN2540 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 2.6mm | ||
Altezza 1.6mm | ||
Lunghezza 4.6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo transistor (normalmente inattivo) a bassa soglia in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per una vasta gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica, un’elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.
Bassa soglia (2.0V max.)
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità di ingresso (125 pF max.)
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza in stato attivo
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita