MOSFET Microchip, canale Tipo N 400 V, 12 Ω Miglioramento, 260 mA, 3 Pin, TO-243, Superficie TN2540N8-G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
177-9854
Codice costruttore:
TN2540N8-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

260mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

400V

Serie

TN2540

Tipo di package

TO-243

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.6mm

Lunghezza

4.6mm

Larghezza

2.6 mm

Standard automobilistico

No

Questo transistor (normalmente inattivo) a bassa soglia in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per una vasta gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica, un’elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.

Bassa soglia (2.0V max.)

Elevata impedenza di ingresso

Bassa capacità di ingresso (125 pF max.)

Velocità elevata di commutazione

Bassa resistenza in stato attivo

Privi di scarica secondaria

Bassa dispersione in ingresso e in uscita

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