MOSFET Microchip, canale Tipo P 400 V, 30 Ω Miglioramento, 125 mA, 3 Pin, TO-243, Superficie TP2540N8-G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
177-9867
Codice costruttore:
TP2540N8-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

125mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

400V

Serie

TP2540

Tipo di package

TO-243

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

30Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.6mm

Lunghezza

4.6mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.6 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
Questo transistor (normalmente inattivo) a bassa soglia in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per una vasta gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica, un’elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.

Bassa soglia (-2.4 V max.)

Elevata impedenza di ingresso

Bassa capacità di ingresso (60 pF)

Velocità elevata di commutazione

Bassa resistenza in stato attivo

Privi di scarica secondaria

Bassa dispersione in ingresso e in uscita

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