MOSFET singoli Microchip, canale Canale N FET DMOS 500 V, 10 Ω Modalità di esaurimento, 350 mA, 3 Pin, TO-252 (D-PAK-3),

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

2270,00 €

(IVA esclusa)

2770,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Per ordini inferiori a 60,00 € (IVA esclusa) il costo della spedizione è 9,50 €.
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 24 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2000 +1,135 €2.270,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
598-778
Codice costruttore:
DN2530N8-G
Costruttore:
Microchip
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Canale N FET DMOS

Massima corrente di scarico continua Id

350mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Serie

DN2530

Tipo di package

TO-252 (D-PAK-3)

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

Modalità di esaurimento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione diretta Vf

1.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

4.4mm

Larghezza

3 mm

Standard/Approvazioni

ISO/TS‑16949, RoHS

Altezza

2.29mm

Standard automobilistico

No

Il transistor a modalità di esaurimento a bassa soglia Microchip utilizza una struttura DMOS verticale avanzata e un processo di fabbricazione collaudato con gate al silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari e con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipico dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente.

Impedenza di ingresso elevata

Bassa capacità di ingresso

Velocità di commutazione rapide

Bassa resistenza in stato attivo

Privo di scarica secondaria

Bassa perdita in ingresso e in uscita

Link consigliati