Singolo FET di silicio RF a gate METALLICO Semelab, canale N, 2 A 65 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
177-5491
Codice costruttore:
D2020UK
Costruttore:
Semelab
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Marchio

Semelab

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

FET di silicio RF a gate METALLICO

Frequenza

1GHz

Massima corrente di scarico continua Id

2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

65V

Potenza di uscita

5W

Tipo di package

SOIC

Serie

TetraFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

65°C

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Configurazione transistor

Singolo

Larghezza

5.08mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

4.06mm

Altezza

2.18mm

Guadagno potenza tipico

13dB

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
GB

Transistor MOSFET RF, Semelab


Transistor MOSFET, Semelab


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