Transistor RF bipolare al silicio a basso rumore Infineon BFP183E7764HTSA1, 4 Pin, SOT-143, 65 mA, 20 V, Superficie

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Codice RS:
273-7292
Codice costruttore:
BFP183E7764HTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor RF bipolare al silicio a basso rumore

Corrente CC massima collettore Idc

65mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

20V

Tipo di package

SOT-143

Tipo montaggio

Superficie

Tensione massima base del collettore VCBO

20V

Guadagno minimo di corrente CC hFE

70

Frequenza transizione massima ft

8GHz

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

250mW

Tensione massima base emettitore VBEO

2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero pin

4

Serie

BFP183

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor RF bipolare al silicio di Infineon è progettato per amplificatori a banda larga a basso rumore e alto guadagno con correnti di collettore da 2 mA a 30 mA. Questo transistor RF è qualificato in conformità con AEC Q101.

Contenitore senza piombo

Conformità alla direttiva RoHS

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