Transistor RF bipolare al silicio a basso rumore Infineon BFP183E7764HTSA1, 4 Pin, SOT-143, 65 mA, 20 V, Superficie

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Codice RS:
273-7292
Codice costruttore:
BFP183E7764HTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor RF bipolare al silicio a basso rumore

Corrente CC massima collettore Idc

65mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

20V

Tipo di package

SOT-143

Tipo montaggio

Superficie

Tensione massima base del collettore VCBO

20V

Guadagno minimo di corrente CC hFE

70

Dissipazione di potenza massima Pd

250mW

Tensione massima base emettitore VBEO

2V

Frequenza transizione massima ft

8GHz

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero pin

4

Serie

BFP183

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor RF bipolare al silicio di Infineon è progettato per amplificatori a banda larga a basso rumore e alto guadagno con correnti di collettore da 2 mA a 30 mA. Questo transistor RF è qualificato in conformità con AEC Q101.

Contenitore senza piombo

Conformità alla direttiva RoHS

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