Transistor RF bipolare al silicio a basso rumore Infineon, 3 Pin, SOT-323, 20 mA, 20 V, Superficie

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Codice RS:
273-7307
Codice costruttore:
BFR93AWH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor RF bipolare al silicio a basso rumore

Corrente CC massima collettore Idc

20mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

20V

Tipo di package

SOT-323

Tipo montaggio

Superficie

Tensione massima base del collettore VCBO

20V

Minima temperatura operativa

-65°C

Frequenza transizione massima ft

6GHz

Tensione massima base emettitore VBEO

2V

Guadagno minimo di corrente CC hFE

70

Dissipazione di potenza massima Pd

300mW

Numero pin

3

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

BFR93AW

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor RF bipolare al silicio Infineon è progettato per amplificatori e oscillatori a bassa distorsione fino a 2 GHz con correnti di collettore da 5 mA a 30 mA. Questo transistor RF è qualificato in conformità con AEC Q101.

Senza alogeni

Contenitore senza piombo

Conformità alla direttiva RoHS

Con cavi visibili

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